利用GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）的栅控特性和锆钛酸铅（PZT）铁电薄膜的光伏效应，在HEMT器件的栅极处沉积一层PZT铁电薄膜，提出了一种新......

采用化学溶液方法，在LaNiO3/Si(100)衬底上生长了Nd掺杂的BiFeO3薄膜.XRD分析结果表明，随着Nd掺杂量的增加，薄膜晶格变小，Nd掺杂量为20......

利用溶胶-凝胶法在Si(100)及Pt/Ti/Si(100)衬底上制备了Bi3.5La0.5Ti3O12(BLT-5)铁电薄膜，研究了在不同退火条件下BLT-5薄膜的结晶......